產(chǎn)品介紹：
Helios設(shè)計(jì)與飛秒激光放大器一起工作，采集14 fs - 8 ns時(shí)域的瞬態(tài)吸收光譜，包括：基態(tài)漂白 (Ground StateBleaching)、激發(fā)態(tài)吸收 (Excited State Absorption)，受激輻射 (Stimulated Emission)等光譜信息。
籍此分析單線態(tài)能級(jí)躍遷引發(fā)超快速能量轉(zhuǎn)移、電子遷移、激發(fā)態(tài)能級(jí)躍遷、熒光輻射等信息。高速智能延時(shí)線，采集14 fs - 8 ns，采集~106時(shí)域的3D瞬態(tài)吸收光譜，需~30 min（5min fire）。10 nJ(10 μW @1 kHz)低能量泵浦，適用于OPV\OLED\AIE等材料研究。大光譜范圍：350 - 2400 nm，標(biāo)配 450 - 800 nm。CMOS線陣列傳感器，數(shù)據(jù)采集可與1000 Hz（可選：5,000 Hz）激光器同步?？缮?jí)為漫反射(Diffused reflectance)瞬態(tài)吸收光譜儀，內(nèi)置Kubelka–Munk方程計(jì)算光吸收，漫反射與透射可以切換使用。
產(chǎn)品參數(shù)：
延時(shí)分辨率 | 14 fs |
時(shí)間分辨率* | 1.4 x 激光脈沖時(shí)間 |
時(shí)間窗口 | 8 ns |
適合激光頻率 | 任意 |
探測(cè)波長(zhǎng) | 450 - 800 nm |
350 - 750 nm |
選配：800 - 1600 nm |
選配：1.6 – 2.4 μm |
Vis檢測(cè)器 | CMOS線陣列傳感器 |
像素 | 1024 |
響應(yīng)波長(zhǎng) | 200 - 1000 nm |
分辨率 | 2 nm (50 μm 狹縫時(shí))，4 nm (200 μm 狹縫時(shí)) |
光譜范圍 | 600 nm (通常: 350 - 950 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s，14bit
選配：5000 條光譜/s，16bit (fire) |
NIR檢測(cè)器 | InGaAs線陣列傳感器 (選配) |
像素 | 256 |
響應(yīng)波長(zhǎng) | 800 - 1600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 μm 狹縫時(shí))，13 nm (200 μm 狹縫時(shí)) |
光譜范圍 | 800 nm (通常: 800 - 1600 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s，14bit；
選配：5000 條光譜/s，16bit (fire) |
SWIR檢測(cè)器 | InGaAs線陣列傳感器 (選配) |
像素 | 256 |
響應(yīng)波長(zhǎng) | 1000 - 2600 nm |
分辨率 | 5 nm (50 μm 狹縫時(shí))，13 nm (200 μm 狹縫時(shí)) |
光譜范圍 | 800 nm (通常: 1600 - 2400 nm) |
采集速度 | 2400 條光譜/s，14bit |
數(shù)據(jù)格式 | ASCII CSV (兼容Excel) |
數(shù)據(jù)采集軟件 | Helios 4.x |
數(shù)據(jù)分析軟件 | Surface Xplorer |
光學(xué)模塊體積 (長(zhǎng)寬高) | 915 X 610 X 250 mm3 |
電子模塊體積 (長(zhǎng)寬高) | 534 X 610 X 686 mm3 |
* 分辨率與飛秒激光器的脈沖半峰寬有關(guān)，如果采用半峰寬為100fs的激光器，分辨率為140fs，在這里，分辨率是儀器的響應(yīng)特征IRF。
主要應(yīng)用：
1. 染料敏化光伏材料(CdSe, PbS量子點(diǎn))的超快電荷分離研究
2. 有機(jī)光電材料（OPV）的電荷分離、電子遷移
3. 鈣鈦礦光伏材料的電荷分離、電子傳遞
4. 半導(dǎo)體載流子遷移率非線性光吸收材料的激發(fā)態(tài)吸收
5. 有機(jī)發(fā)光材料(OLED)的單線態(tài)失活、系間竄越、生成三線態(tài)過(guò)程
6. 金屬配位卟啉類(lèi)材料
7. 光催化過(guò)程的超快電荷轉(zhuǎn)移
