太赫茲相機

產(chǎn)品介紹：

　　在標準半導體周期中使用常規(guī)光學光刻由GaAs高遷移率異質(zhì)結(jié)構(gòu)制造檢測器。成像傳感器在在單個晶片上。 該過程確保等離子體檢測器參數(shù)的高均勻性和再現(xiàn)性（像素到像素偏差響應度在20％范圍內(nèi)）。 每個單位檢測器在10 GHz - 1 THz頻率范圍內(nèi)具有可達50 kV / W的室溫響應能力，帶有讀出電路和噪聲等效功率1 nW / Hz0.5。 檢測機制是基于入射THz輻射轉(zhuǎn)換成二維電子系統(tǒng)（2DES）等離子體振蕩。 然后根據(jù)缺陷區(qū)域中2DES電子密度的不均勻性對等離子體波進行校正。

產(chǎn)品參數(shù)：

注：如需詳細規(guī)格參數(shù)資料，或有其他要求，請聯(lián)系我們。

主要應用：

太赫茲成像